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प्रोडक्ट का नाम | हॉल प्रभाव वर्तमान सेंसर विभाजन कोर ट्रांसड्यूसर |
पी/एन | MLRH-2147 |
प्राथमिक रेटेड वर्तमान | 20/50/100/ 200a/300a/400a |
आउटपुट वोल्टेज | सिंगल पावर 2.5 v 2V |
दोहरी शक्ति | दोहरी शक्ति 0 ± 4V |
इन्सुलेशन वोल्टेज का सामना करना पड़ता है | 3kv/1min |
प्रचालन आवृत्ति | 50-60Hz |
परिचालन तापमान | -40 ℃ ~ +85 ℃ |
इन्सुलेशन | एपॉक्सी राल |
बाहरी मामला | लौ रिटार्डेंट पीबीटी |
Aपिप्लिकेशन | वैरिएबल फ़्रीक्वेंसी इलेक्ट्रिकल एप्लायंस , इन्वर्टर , एसी/डीसी वेरिएबल-स्पीड ड्राइवविट्ड मोड पावर सप्लाई (एसएमपी) , निर्बाध बिजली की आपूर्ति (यूपीएस) , |
आसान स्थापना
खिड़की संरचना
कम बिजली की खपत , बहुत अच्छी रैखिकता
व्यापक वर्तमान रेटिंग रेंज के लिए केवल एक डिजाइन
बाहरी हस्तक्षेप के लिए उच्च प्रतिरक्षा
कोई सम्मिलन नुकसान नहीं
दोहरी पावर हॉल करंट सेंसर
विद्युत डेटा (TA = 25ºC ± 5) C)
इनपुट श्रेणी निर्धारण | IPN | 20/50/100 | A |
माप -सीमा | IP | ± 30/± 75/± 150 | A |
आउटपुट वोल्टेज | Vo | ± 4.0*(मैंP/IPN) | V |
भार प्रतिरोध | RL | > 10 | K |
वोल्टेज आपूर्ति | VC | ((12 ~) 15% 5% | V |
शुद्धता | XG | @आईपीएन, टी = 25 डिग्री सेल्सियस <± 1.0 | % |
ऑफसेट वोल्टेज | VOE | @Ip = 0, t = 25 ° C <± 25 | mV |
वी का तापमान भिन्नताOE | VOT | @Ip = 0, -40 ~ +85 ° C <± 1.0/<± 0.5/<± 0.5 | एमवी/℃ |
वी का तापमान भिन्नताO | VOS | @Ip = ipn, -40 ~ +85 ° C <± 2.5 | % |
हिस्टैरिसीसिस ऑफसेट वोल्टेज | VOH | @Ip = 0, 1*ipn <± 25 के बाद | mV |
रैखिकता त्रुटि | εr | <1.0 | %एफएस |
डि/डीटी | > 100 | /ΜS | |
प्रतिक्रिया समय | ट्रा | @90% IPN <5.0 | μS |
बिजली की खपत | IC | @+15v <23 | mA |
@-15V <4.5 | mA | ||
बैंडविड्थ | BW | @-3DB, IPN DC-20 | KHz |
इन्सुलेशन वोल्टेज | Vd | @50/60Hz, 1min, AC, 1.5MA 4.0 | KV |
रिंग टाइप इलेक्ट्रिकल डेटा ((TA = 25 ° C A VC =+12.0VDC, RL = 2K।
पैरामीटर | MLRH-50A/2V | MLRH-100A/2V | MLRH-200A/2V | MLRH-300A/2V | MLRH-400A/2V | इकाई | |
इनपुट श्रेणी निर्धारण | IPN | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | A |
माप -सीमा | IP | 0 ~ ± 50 | 0 ~ ± 100 | 0 ~ ± 200 | 0 ~ ± 300 | 0 ~ ± 400 | A |
आउटपुट वोल्टेज | Vo |
| 2.500 (2.0*(मैंP/IPN) |
| V | ||
आउटपुट वोल्टेज | Vo | @आईपी = 0, टी = 25 डिग्री सेल्सियस | 2.500 |
| V | ||
भार प्रतिरोध | RL |
| > 2 |
| K | ||
वोल्टेज आपूर्ति | VC |
| +12.0% 5% |
| V | ||
शुद्धता | XG | @IPN, टी = 25 डिग्री सेल्सियस | <± 1.0 | % | |||
ऑफसेट वोल्टेज | VOE | @IP= 0, टी = 25 डिग्री सेल्सियस | <± 25 | mV | |||
वी का तापमान भिन्नताOE | VOT | @IP= 0, -40 ~ +85 ° C | <± 1.0 | एमवी/℃ | |||
हिस्टैरिसीसिस ऑफसेट वोल्टेज | VOH | @आईपी = 0, 1*आईपीएन के बाद | <± 20 | mV | |||
रैखिकता त्रुटि | εr | <1.0 | %एफएस | ||||
डि/डीटी |
| > 100 | ए/µs | ||||
प्रतिक्रिया समय | ट्रा | @90% IPN | <3.0 | μS | |||
बिजली की खपत | IC | 15 | mA | ||||
बैंडविड्थ | BW | @-3db, IPN | डीसी -20 | KHz | |||
इन्सुलेशन वोल्टेज | Vd | @50/60Hz, 1min, एसी | 2.5 | KV |
सामान्य डेटा:
参数 पैरामीटर | 符号 प्रतीक | 数值 मूल्य | 单位 यूनिट |
परिचालन तापमान | TA | -40 ~ +85 | ° C |
भंडारण तापमान | Ts | -55 ~ +125 | ° C |
वज़न | m | 70 | g |
प्लास्टिक सामग्री | PBT G30/G15 , UL94- V0; | ||
मानकों | IEC60950-1: 2001 | ||
EN50178: 1998 | |||
SJ20790-2000 |
आयाम (मिमी):
टिप्पणी:
1, जब वर्तमान को मापा जाएगा तो एक सेंसर के प्राथमिक पिन के माध्यम से जाता है, वोल्टेज आउटपुट अंत में bemeasured होगा। (नोट: झूठी वायरिंग के परिणामस्वरूप सेंसर को नुकसान हो सकता है)।
2, अलग -अलग रेटेड इनपुट करंट और आउटपुट वोल्टेज में कस्टम डिज़ाइन उपलब्ध हैं।
3, गतिशील प्रदर्शन सबसे अच्छा है जब प्राथमिक छेद पूरी तरह से भरा हुआ है;
4, प्राथमिक कंडक्टर <100 ° C होना चाहिए;
आयताकार प्रकार विद्युत डेटा : (TA = 25 ° C v VC =+12.0VDC, RL = 2K।
पैरामीटर | एक प्रकार का-200a/2v | एक प्रकार का4-600A/2V | एक प्रकार का4-800A/2V | एक प्रकार का4-1000A/2V | एक प्रकार का4-1200A/2V | एक प्रकार का4-2000A/2V | इकाई | |
इनपुट श्रेणी निर्धारण | आयोग | 200 | 600 | 800 | 1000 | 1200 | 2000 | A |
माप -सीमा | IP | 0 ~ ± 200 | 0 ~ ± 600 | 0 ~ ± 800 | 0 ~ ± 1000 | 0 ~ ± 1200 | 0 ~ ± 2000 | A |
आउटपुट वोल्टेज | Vo |
| 2.500 (2.0*(आईपी/आईपीएन) |
| V | |||
आउटपुट वोल्टेज | Vo | @आईपी = 0, टी = 25 डिग्री सेल्सियस | 2.500 |
| V | |||
भार प्रतिरोध | RL |
| > 2 |
| K | |||
वोल्टेज आपूर्ति | VC |
| +12.0 ± 5% |
| V | |||
शुद्धता | XG | @आईपीएन, टी = 25 डिग्री सेल्सियस | <± 1.0 | % | ||||
ऑफसेट वोल्टेज | गरजना | @आईपी = 0, टी = 25 डिग्री सेल्सियस | <± 25 | mV | ||||
VOE का तापमान भिन्नता | मतदान | @Ip = 0, -40 ~ +85 ° C | <± 1.0 | एमवी/℃ | ||||
हिस्टैरिसीसिस ऑफसेट वोल्टेज | वोह | @आईपी = 0, 1*आईपीएन के बाद | <± 20 | mV | ||||
रैखिकता त्रुटि | εr | <1.0 | %एफएस | |||||
डि/डीटी |
| > 100 | ए/µs | |||||
प्रतिक्रिया समय | ट्रा | @90% IPN | <7.0 | μS | ||||
बिजली की खपत | IC | 15 | mA | |||||
बैंडविड्थ | BW | @-3db, IPN | डीसी -20 | KHz | ||||
इन्सुलेशन वोल्टेज | Vd | @50/60Hz, 1min, एसी | 6.0 | KV |
सामान्य डेटा:
参数 पैरामीटर | 符号 प्रतीक | 数值 मूल्य | 单位 यूनिट |
परिचालन तापमान | TA | -40 ~ +85 | ° C |
भंडारण तापमान | Ts | -55 ~ +125 | ° C |
वज़न | m | 200 | g |
प्लास्टिक सामग्री | PBT G30/G15 , UL94- V0; | ||
मानकों | IEC60950-1: 2001 | ||
EN50178: 1998 | |||
SJ20790-2000 |
आयाम (मिमी):
टिप्पणी:
1, जब वर्तमान को मापा जाएगा तो एक सेंसर के प्राथमिक पिन के माध्यम से जाता है, वोल्टेज होगा
आउटपुट एंड पर मापा गया। (नोट: झूठी वायरिंग के परिणामस्वरूप सेंसर को नुकसान हो सकता है)।
2, अलग -अलग रेटेड इनपुट करंट और आउटपुट वोल्टेज में कस्टम डिज़ाइन उपलब्ध हैं।
3, गतिशील प्रदर्शन सबसे अच्छा है जब प्राथमिक छेद पूरी तरह से भरा हुआ है;
4, प्राथमिक कंडक्टर <100 ° C होना चाहिए;
हम जानते हैं कि हम केवल तभी पनपते हैं जब हम आसानी से अपनी संयुक्त लागत प्रतिस्पर्धा और उच्च-गुणवत्ता वाले लाभ की गारंटी दे सकते हैं कि ओईएम के लिए एक ही समय में चीन की अच्छी संगति मल्टीलेयर हनीकॉम्ब टाइप 100 ए 0.1 क्लास डीसी इम्यून करंट ट्रांसफार्मर, हमारा संगठन "ग्राहक पहले" को समर्पित कर रहा है और ग्राहकों को अपने छोटे व्यवसाय का विस्तार करने में मदद करने के लिए प्रतिबद्ध है, ताकि वे बिग बॉस बन जाएं!
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