אפקט אפקט חיישן זרם מתמר ליבה מפוצל
תֵאוּר
| שם המוצר | אפקט אפקט חיישן זרם מתמר ליבה מפוצל |
| P/n | MLRH-2147 |
| זרם מדורג ראשוני | 20/50/100/200a/300a/400a |
| מתח יציאה | כוח יחיד 2.5 ± 2V |
| כוח כפול | כוח כפול 0 ± 4V |
| בידוד עומד במתח | 3KV/1min |
| תדר הפעלה | 50-60 הרץ |
| טמפרטורת הפעלה | -40 ℃ ~ +85 ℃ |
| בִּדוּד | שרף אפוקסי מכוסה |
| מקרה חיצוני | מעכב בעירה PBT |
| Application | מכשירי חשמל תדר משתנים ， מהפך ， כונן מהירות משתנה AC/DC ספקי חשמל של מצב מיתוג (SMPS) ， ספקי חשמל ללא הפרעה (UPS) ， |
תכונות
התקנה קלה
מבנה חלון
צריכת חשמל נמוכה ， לינאריות טובה מאוד
רק עיצוב אחד לטווח דירוג נוכחי רחב
חסינות גבוהה להתערבות חיצונית
אין הפסדי הכנסה
חיישן זרם אולם הכוח הכפול
נתונים חשמליים (TA = 25 מעלות צלזיוס ± 5 מעלות צלזיוס)
| קלט מדורג | IPN | 20/50/100 | A |
| טווח מדידה | IP | ± 30/± 75/± 150 | A |
| מתח יציאה | Vo | ± 4.0*(iP/IPN) | V |
| התנגדות לטעינה | RL | > 10 | KΩ |
| מתח אספקה | VC | （± 12 ～ ± 15） ± 5% | V |
| דִיוּק | XG | @Ipn, t = 25 ° C <± 1.0 | % |
| קיזוז מתח | VOE | @Ip = 0, t = 25 ° C <± 25 | mV |
| וריאציה של טמפרטורה של VOE | VOT | @Ip = 0, -40 ~ +85 ° C <± 1.0/ <± 0.5/<± 0.5 | MV/℃ |
| וריאציה של טמפרטורה של VO | VOS | @Ip = ipn, -40 ~ +85 ° C <± 2.5 | % |
| היסטריה קיזוז מתח | VOH | @Ip = 0, אחרי 1*ipn <± 25 | mV |
| שגיאת לינאריות | εr | <1.0 | %Fs |
| di/dt | > 100 | A/μS | |
| זמן תגובה | טרא | @90% מ- IPN <5.0 | μs |
| צריכת חשמל | IC | @+15V <23 | mA |
| @-15V <4.5 | mA | ||
| רוחב פס | BW | @-3DB, IPN DC-20 | Khz |
| מתח בידוד | Vd | @50/60 הרץ, 1 דקות, AC, 1.5mA 4.0 | KV |
סוג טבעת נתונים חשמליים ： （TA = 25 ° C
| פָּרָמֶטֶר | MLRH-50A/2V | MLRH-100A/2V | MLRH-200A/2V | MLRH-300A/2V | MLRH-400A/2V | יְחִידָה | |
| קלט מדורג | IPN | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | A |
| טווח מדידה | IP | 0 ～ ± 50 | 0 ～ ± 100 | 0 ～ ± 200 | 0 ～ ± 300 | 0 ～ ± 400 | A |
| מתח יציאה | Vo |
| 2.500 ± 2.0*(iP/IPN) |
| V | ||
| מתח יציאה | Vo | @Ip = 0, t = 25 ° C. | 2.500 |
| V | ||
| התנגדות לטעינה | RL |
| > 2 |
| KΩ | ||
| מתח אספקה | VC |
| +12.0 ± 5% |
| V | ||
| דִיוּק | XG | @IPN, T = 25 מעלות צלזיוס | <± 1.0 | % | |||
| קיזוז מתח | VOE | @IP= 0, t = 25 מעלות צלזיוס | <± 25 | mV | |||
| וריאציה של טמפרטורה של VOE | VOT | @IP= 0, -40 ~ +85 מעלות צלזיוס | <± 1.0 | MV/℃ | |||
| היסטריה קיזוז מתח | VOH | @Ip = 0, אחרי 1*ipn | <± 20 | mV | |||
| שגיאת לינאריות | εr | <1.0 | %Fs | ||||
| di/dt |
| > 100 | A/μS | ||||
| זמן תגובה | טרא | @90% מ- IPN | <3.0 | μs | |||
| צריכת חשמל | IC | 15 | mA | ||||
| רוחב פס | BW | @-3db, ipn | DC-20 | Khz | |||
| מתח בידוד | Vd | @50/60 הרץ, 1 דקות, AC | 2.5 | KV | |||
נתונים כלליים ：
| 参数 פרמטר | 符号 סמל | 数值 ערך | 单位 יחידה |
| טמפרטורת הפעלה | TA | -40 ~ +85 | ° C. |
| טמפרטורת אחסון | Ts | -55 ~ +125 | ° C. |
| מִשׁקָל | m | 70 | g |
| חומר פלסטי | PBT G30/G15 ， UL94- V0; | ||
| סטנדרטים | IEC60950-1: 2001 | ||
| EN50178: 1998 | |||
| SJ20790-2000 | |||
מידות (מ"מ):
הערות ：
1, כאשר הזרם יימדד עובר דרך הסיכה הראשית של חיישן, המתח יופעל בקצה הפלט. (הערה: החיווט השקרי עלול לגרום לנזק החיישן).
2, תכנון מותאם אישית בזרם הקלט המדורג השונה ומתח היציאה זמין.
3, הביצועים הדינמיים הם הטובים ביותר כאשר החור העיקרי אם הוא מלא במלואו;
4, המוליך העיקרי צריך להיות <100 מעלות צלזיוס;
נתונים מלבניים נתונים חשמליים ： （TA = 25 ° C ， VC =+12.0VDC, RL = 2KΩ）
| פָּרָמֶטֶר | Mlrh-200A/2V | Mlrh4-600A/2V | Mlrh4-800A/2V | Mlrh4-1000A/2V | Mlrh4-1200A/2V | Mlrh4-2000A/2V | יְחִידָה | |
| קלט מדורג | IPN | 200 | 600 | 800 | 1000 | 1200 | 2000 | A |
| טווח מדידה | IP | 0 ～ ± 200 | 0 ～ ± 600 | 0 ～ ± 800 | 0 ～ ± 1000 | 0 ～ ± 1200 | 0 ～ ± 2000 | A |
| מתח יציאה | Vo |
| 2.500 ± 2.0*(IP/IPN) |
| V | |||
| מתח יציאה | Vo | @Ip = 0, t = 25 ° C. | 2.500 |
| V | |||
| התנגדות לטעינה | RL |
| > 2 |
| KΩ | |||
| מתח אספקה | VC |
| +12.0 ± 5% |
| V | |||
| דִיוּק | XG | @Ipn, t = 25 מעלות צלזיוס | <± 1.0 | % | ||||
| קיזוז מתח | Voe | @Ip = 0, t = 25 ° C. | <± 25 | mV | ||||
| וריאציה של טמפרטורה של Voe | קולות | @Ip = 0, -40 ~ +85 מעלות צלזיוס | <± 1.0 | MV/℃ | ||||
| היסטריה קיזוז מתח | Voh | @Ip = 0, אחרי 1*ipn | <± 20 | mV | ||||
| שגיאת לינאריות | εr | <1.0 | %Fs | |||||
| di/dt |
| > 100 | A/μS | |||||
| זמן תגובה | טרא | @90% מ- IPN | <7.0 | μs | ||||
| צריכת חשמל | IC | 15 | mA | |||||
| רוחב פס | BW | @-3db, ipn | DC-20 | Khz | ||||
| מתח בידוד | Vd | @50/60 הרץ, 1 דקות, AC | 6.0 | KV | ||||
נתונים כלליים ：
| 参数 פרמטר | 符号 סמל | 数值 ערך | 单位 יחידה |
| טמפרטורת הפעלה | TA | -40 ~ +85 | ° C. |
| טמפרטורת אחסון | Ts | -55 ~ +125 | ° C. |
| מִשׁקָל | m | 200 | g |
| חומר פלסטי | PBT G30/G15 ， UL94- V0; | ||
| סטנדרטים | IEC60950-1: 2001 | ||
| EN50178: 1998 | |||
| SJ20790-2000 | |||
מידות (מ"מ):
הערות ：
1, כאשר הזרם יימדד עובר דרך הסיכה הראשית של חיישן, המתח יהיה
נמדד בסוף הפלט. (הערה: החיווט השקרי עלול לגרום לנזק של החיישן).
2, תכנון מותאם אישית בזרם הקלט המדורג השונה ומתח היציאה זמין.
3, הביצועים הדינמיים הם הטובים ביותר כאשר החור העיקרי אם הוא מלא במלואו;
4, המוליך העיקרי צריך להיות <100 מעלות צלזיוס;
