제품 이름 | 홀 효과 현재 센서 분할 코어 트랜스 듀서 |
p/n | MLRH-2147 |
1 차 정격 전류 | 20/50/100/200a/300A/400A |
출력 전압 | 단일 전력 2.5 ± 2V |
이중 전력 | 이중 전력 0 ± 4V |
절연을 견딜 수 있습니다 | 3kv/1 분 |
작동 주파수 | 50-60Hz |
작동 온도 | -40 +~ +85 ℃ |
격리 | 에폭시 수지가 캡슐화되었습니다 |
외부 케이스 | 화염 지연 PBT |
Application | 가변 주파수 전기 기기, 인버터, AC/DC 가변 속도 드라이브 스위치 모드 전원 공급 장치 (SMP), 무정전 전원 공급 장치 (UPS), |
쉬운 설치
창 구조
저전력 소비, 매우 좋은 선형성
넓은 전류 등급 범위를위한 단 하나의 디자인 만 있습니다
외부 간섭에 대한 높은 면역
삽입 손실이 없습니다
듀얼 파워 홀 전류 센서
전기 데이터 (TA = 25ºC ± 5ºC)
등급 입력 | IPN | 20/50/100 | A |
측정 범위 | IP | ± 30/± 75/± 150 | A |
출력 전압 | Vo | ± 4.0*(iP/IPN) | V |
부하 저항 | RL | > 10 | KΩ |
공급 전압 | VC | (± 12 ° ± 15) ± 5% | V |
정확성 | XG | @ipn, t = 25 ° C <± 1.0 | % |
오프셋 전압 | VOE | @IP = 0, t = 25 ° C <± 25 | mV |
v의 온도 변화OE | VOT | @IP = 0, -40 ~ +85 ° C <± 1.0/ <± 0.5/<± 0.5 | MV/℃ |
v의 온도 변화O | VOS | @IP = IPN, -40 ~ +85 ° C <± 2.5 | % |
히스테리시스 오프셋 전압 | VOH | @IP = 0, 1*ipn <± 25 이후 | mV |
선형성 오류 | εr | <1.0 | %fs |
di/dt | > 100 | A/μS | |
응답 시간 | 트래 | IPN의 90% <5.0 | μs |
전력 소비 | IC | @+15V <23 | mA |
@-15V <4.5 | mA | ||
대역폭 | BW | @-3db, IPN DC-20 | KHZ |
절연 전압 | Vd | @50/60Hz, 1 분, AC, 1.5MA 4.0 | KV |
링 타입 전기 데이터 : (ta = 25 ° C, vc =+12.0VDC, RL = 2KΩ) 찾고
매개 변수 | MLRH-50A/2V | MLRH-100A/2V | MLRH-200A/2V | MLRH-300A/2V | MLRH-400A/2V | 단위 | |
등급 입력 | IPN | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | A |
측정 범위 | IP | 0 ~ ± 50 | 0 ~ ± 100 | 0 ~ ± 200 | 0. ± 300 | 0. ± 400 | A |
출력 전압 | Vo |
| 2.500 ± 2.0*(iP/IPN) |
| V | ||
출력 전압 | Vo | @IP = 0, t = 25 ° C | 2.500 |
| V | ||
부하 저항 | RL |
| > 2 |
| KΩ | ||
공급 전압 | VC |
| +12.0 ± 5% |
| V | ||
정확성 | XG | @IPN, t = 25 ° C | <± 1.0 | % | |||
오프셋 전압 | VOE | @IP= 0, t = 25 ° C | <± 25 | mV | |||
v의 온도 변화OE | VOT | @IP= 0, -40 ~ +85 ° C | <± 1.0 | MV/℃ | |||
히스테리시스 오프셋 전압 | VOH | 1*ipn 후 @IP = 0 | <± 20 | mV | |||
선형성 오류 | εr | <1.0 | %fs | ||||
di/dt |
| > 100 | A/µs | ||||
응답 시간 | 트래 | IPN의 90% | <3.0 | µs | |||
전력 소비 | IC | 15 | mA | ||||
대역폭 | BW | @-3db, ipn | DC-20 | KHZ | |||
절연 전압 | Vd | @50/60Hz, 1 분, AC | 2.5 | KV |
일반 데이터 :
参数 매개 변수 | 符号 기호 | 값 값 | 单位 단위 |
작동 온도 | TA | -40 ~ +85 | ° C |
저장 온도 | Ts | -55 ~ +125 | ° C |
무게 | m | 70 | g |
플라스틱 재료 | PBT G30/G15, UL94-V0; | ||
표준 | IEC60950-1 : 2001 | ||
EN50178 : 1998 | |||
SJ20790-2000 |
치수 (mm) :
비고 :
1, 전류가 측정 될 때 센서의 1 차 핀을 통과 할 때, 출력 끝에서 전압이 구분됩니다. (참고 : 잘못된 배선으로 인해 센서가 손상 될 수 있습니다).
2, 다양한 정격 입력 전류의 사용자 정의 설계 및 출력 전압을 사용할 수 있습니다.
3, 동적 성능은 기본 구멍이 완전히 채워지면 최고입니다.
4, 1 차 도체는 <100 ℃ 여야한다;
직사각형 전기 데이터 : (TA = 25 ° C, vc =+12.0VDC, RL = 2KΩ)
매개 변수 | mlrh-200A/2V | mlrh4-600A/2V | mlrh4-800A/2V | mlrh4-1000A/2V | mlrh4-1200A/2V | mlrh4-2000A/2V | 단위 | |
등급 입력 | IPN | 200 | 600 | 800 | 1000 | 1200 | 2000 | A |
측정 범위 | IP | 0 ~ ± 200 | 0. ± 600 | 0. ± 800 | 0. ± 1000 | 0. ± 1200 | 0. ± 2000 | A |
출력 전압 | Vo |
| 2.500 ± 2.0*(IP/IPN) |
| V | |||
출력 전압 | Vo | @IP = 0, t = 25 ° C | 2.500 |
| V | |||
부하 저항 | RL |
| > 2 |
| KΩ | |||
공급 전압 | VC |
| +12.0 ± 5% |
| V | |||
정확성 | XG | @ipn, t = 25 ° C | <± 1.0 | % | ||||
오프셋 전압 | voe | @IP = 0, t = 25 ° C | <± 25 | mV | ||||
VOE의 온도 변화 | 투표 | @IP = 0, -40 ~ +85 ° C | <± 1.0 | MV/℃ | ||||
히스테리시스 오프셋 전압 | VOH | 1*ipn 후 @IP = 0 | <± 20 | mV | ||||
선형성 오류 | εr | <1.0 | %fs | |||||
di/dt |
| > 100 | A/µs | |||||
응답 시간 | 트래 | IPN의 90% | <7.0 | µs | ||||
전력 소비 | IC | 15 | mA | |||||
대역폭 | BW | @-3db, ipn | DC-20 | KHZ | ||||
절연 전압 | Vd | @50/60Hz, 1 분, AC | 6.0 | KV |
일반 데이터 :
参数 매개 변수 | 符号 기호 | 값 값 | 单位 단위 |
작동 온도 | TA | -40 ~ +85 | ° C |
저장 온도 | Ts | -55 ~ +125 | ° C |
무게 | m | 200 | g |
플라스틱 재료 | PBT G30/G15, UL94-V0; | ||
표준 | IEC60950-1 : 2001 | ||
EN50178 : 1998 | |||
SJ20790-2000 |
치수 (mm) :
비고 :
1, 전류가 측정 될 때 센서의 1 차 핀을 통과하면 전압은
출력 끝에서 측정 됨 (참고 : 잘못된 배선으로 인해 센서가 손상 될 수 있습니다).
2, 다양한 정격 입력 전류의 사용자 정의 설계 및 출력 전압을 사용할 수 있습니다.
3, 동적 성능은 기본 구멍이 완전히 채워지면 최고입니다.
4, 1 차 도체는 <100 ℃ 여야한다;