| Nama Produk | Sensor Arus Kesan Hall Transduser Teras Berpecah |
| P/N | MLRH-2147 |
| Arus Nilai Utama | 20/50/100/200A/300A/400A |
| Voltan Keluaran | Kuasa Tunggal 2.5±2V |
| Kuasa Berganda | Kuasa Dwi 0±4V |
| Voltan tahan penebat | 3KV/1 minit |
| Frekuensi Operasi | 50-60Hz |
| Suhu Operasi | -40℃ ~ +85℃ |
| Penebat | Resin epoksi yang dienkapsulasi |
| Kes Luar | PBT Kalis Api |
| Aaplikasi | Peralatan elektrik frekuensi boleh ubah, penyongsang, pemacu kelajuan boleh ubah AC/DC Bekalan Kuasa Mod Bersuis (SMPS), Bekalan Kuasa Tidak Terganggu (UPS), |
Pemasangan mudah
Struktur tingkap
Penggunaan kuasa yang rendah, kelinearan yang sangat baik
Hanya satu reka bentuk untuk julat penarafan arus yang luas
Kekebalan yang tinggi terhadap gangguan luaran
Tiada kehilangan sisipan
Sensor Arus Dewan Kuasa Dwi
Data elektrik (Ta=25ºC±5ºC)
| Input dinilai | IPN | 20/50/100 | A |
| Julat pengukuran | IP | ±30/±75/±150 | A |
| Voltan keluaran | Vo | ±4.0*(IP/IPN) | V |
| Rintangan beban | RL | >10 | KΩ |
| Voltan bekalan | VC | (±12 ~±15) ±5% | V |
| Ketepatan | XG | @IPN,T=25°C < ±1.0 | % |
| Voltan ofset | VOE | @IP=0,T=25°C < ±25 | mV |
| Variasi suhu VOE | VOT | @IP=0,-40 ~ +85°C < ±1.0/ < ±0.5/< ±0.5 | mV/℃ |
| Variasi suhu VO | VOS | @IP=IPN,-40 ~ +85°C < ±2.5 | % |
| Voltan ofset histeresis | VOH | @IP=0, selepas 1*IPN < ±25 | mV |
| Ralat lineariti | εr | < 1.0 | %FS |
| di/dt | > 100 | A/μs | |
| Masa tindak balas | tra | @90% daripada IPN < 5.0 | μs |
| Penggunaan kuasa | IC | @+15V <23 | mA |
| @-15V <4.5 | mA | ||
| Lebar jalur | BW | @-3dB,IPN DC-20 | KHZ |
| Voltan penebat | Vd | @50/60Hz, 1min, AC, 1.5mA 4.0 | KV |
Jenis Cincin Data elektrik:(Ta=25°C,Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ)
| Parameter | MLRH-50A/2V | MLRH-100A/2V | MLRH-200A/2V | MLRH-300A/2V | MLRH-400A/2V | Unit | |
| Input dinilai | IPN | 50 | 100 | 200 | 300 | 400 | A |
| Julat pengukuran | IP | 0~±50 | 0~±100 | 0~±200 | 0~±300 | 0~±400 | A |
| Voltan keluaran | Vo |
| 2.500±2.0*(IP/IPN) |
| V | ||
| Voltan keluaran | Vo | @IP=0,T=25°C | 2.500 |
| V | ||
| Rintangan beban | RL |
| >2 |
| KΩ | ||
| Voltan bekalan | VC |
| +12.0 ±5% |
| V | ||
| Ketepatan | XG | @IPN,T=25°C | < ±1.0 | % | |||
| Voltan ofset | VOE | @IP=0,T=25°C | < ±25 | mV | |||
| Variasi suhu VOE | VOT | @IP=0,-40 ~ +85°C | < ±1.0 | mV/℃ | |||
| Voltan ofset histeresis | VOH | @IP=0, selepas 1*IPN | < ±20 | mV | |||
| Ralat lineariti | εr | < 1.0 | %FS | ||||
| di/dt |
| > 100 | A/µs | ||||
| Masa tindak balas | tra | @90% daripada IPN | < 3.0 | µs | |||
| Penggunaan kuasa | IC | 15 | mA | ||||
| Lebar jalur | BW | @-3dB,IPN | DC-20 | KHZ | |||
| Voltan penebat | Vd | @50/60Hz, 1 minit, AC | 2.5 | KV | |||
Data umum:
| 参数 Parameter | Simbol 符号 | 数值Nilai | 单位Unit |
| Suhu operasi | TA | -40 ~ +85 | °C |
| Suhu penyimpanan | Ts | -55~ +125 | °C |
| Berat | m | 70 | g |
| Bahan plastik | PBT G30/G15, UL94-V0; | ||
| Piawaian | IEC60950-1:2001 | ||
| EN50178:1998 | |||
| SJ20790-2000 | |||
Dimensi (mm):
Catatan:
1, Apabila arus yang diukur melalui pin utama sensor, voltan akan diukur pada hujung output. (Nota: Pendawaian palsu boleh mengakibatkan kerosakan pada sensor).
2, Reka bentuk tersuai dalam arus input undian yang berbeza dan voltan keluaran tersedia.
3, Prestasi dinamik adalah yang terbaik apabila lubang utama diisi sepenuhnya;
4, Konduktor utama hendaklah <100°C;
Data Elektrik Jenis Segi Empat Tepat:(Ta=25°C,Vc=+12.0VDC,RL=2KΩ)
| Parameter | MLRH-200A/2V | MLRH4-600A/2V | MLRH4-800A/2V | MLRH4-1000A/2V | MLRH4-1200A/2V | MLRH4-2000A/2V | Unit | |
| Input dinilai | IPN | 200 | 600 | 800 | 1000 | 1200 | 2000 | A |
| Julat pengukuran | IP | 0~±200 | 0~±600 | 0~±800 | 0~±1000 | 0~±1200 | 0~±2000 | A |
| Voltan keluaran | Vo |
| 2.500±2.0*(IP/IPN) |
| V | |||
| Voltan keluaran | Vo | @IP=0,T=25°C | 2.500 |
| V | |||
| Rintangan beban | RL |
| >2 |
| KΩ | |||
| Voltan bekalan | VC |
| +12.0±5% |
| V | |||
| Ketepatan | XG | @IPN,T=25°C | < ±1.0 | % | ||||
| Voltan ofset | VOE | @IP=0,T=25°C | < ±25 | mV | ||||
| Variasi suhu VOE | VOT | @IP=0,-40 ~ +85°C | < ±1.0 | mV/℃ | ||||
| Voltan ofset histeresis | VOH | @IP=0, selepas 1*IPN | < ±20 | mV | ||||
| Ralat lineariti | εr | < 1.0 | %FS | |||||
| di/dt |
| > 100 | A/µs | |||||
| Masa tindak balas | tra | @90% daripada IPN | < 7.0 | µs | ||||
| Penggunaan kuasa | IC | 15 | mA | |||||
| Lebar jalur | BW | @-3dB,IPN | DC-20 | KHZ | ||||
| Voltan penebat | Vd | @50/60Hz, 1 minit, AC | 6.0 | KV | ||||
Data umum:
| 参数 Parameter | Simbol 符号 | 数值Nilai | 单位Unit |
| Suhu operasi | TA | -40 ~ +85 | °C |
| Suhu penyimpanan | Ts | -55~ +125 | °C |
| Berat | m | 200 | g |
| Bahan plastik | PBT G30/G15, UL94-V0; | ||
| Piawaian | IEC60950-1:2001 | ||
| EN50178:1998 | |||
| SJ20790-2000 | |||
Dimensi (mm):
Catatan:
1, Apabila arus yang diukur melalui pin utama sensor, voltan akan
Diukur pada hujung output. (Nota: Pendawaian palsu boleh mengakibatkan kerosakan pada sensor).
2, Reka bentuk tersuai dalam arus input undian yang berbeza dan voltan keluaran tersedia.
3, Prestasi dinamik adalah yang terbaik apabila lubang utama diisi sepenuhnya;
4, Konduktor utama hendaklah <100°C;