Hall Effect Current Sensor Split Core Transducer

P/N: MLRH-2147

Primair beoordeelde stroom:20/50/100/200a/300A/400A

Uitgangsspanning:Enkele stroom 2.5+2V

Dubbele kracht:Dubbele kracht 0+4V

Isolatie bestand tegen spanning:3KV/1min

Bedrijfsfrequentie:50-60Hz

Bedrijfstemperatuur:40 ° C ~+85C

Isolatie:Epoxyhars ingekapseld

Buitenste geval:Flame Retardant PBT

Sollicitatie:Variabele frequentie Elektrische apparaten, omvormer, AC/DC variabele snelheid drives-witched modus voedingen (SMPS), oninterruptibele voedingen (UPS)

Informeer nu Volgende product

Productdetail

Producttags

Beschrijving

Productnaam	Hall Effect Current Sensor Split Core Transducer
P/n	MLRH-2147
Primair beoordeelde stroom	20/50/100/200a/300A/400A
Uitgangspanning	Enkel vermogen 2,5 ± 2V
Dubbele kracht	Dubbel vermogen 0 ± 4V
Isolatie bestand tegen spanning	3KV/1min
Werkfrequentie	50-60Hz
Bedrijfstemperatuur	-40 ℃ ~ +85 ℃
Isolatie	Epoxyhars ingekapseld
Buitenste geval	Flame Retardant PBT
Aboord	Variabele frequentie elektrische apparaten, omvormer, AC/DC variabele snelheidsaandrijving Schakelmodus Voedingen (SMPS), ononderbroken voedingen (UPS),

Functies

Eenvoudige installatie

Raamstructuur

Laag stroomverbruik, zeer goede lineariteit

Slechts één ontwerp voor brede huidige beoordelingenbereik

Hoge immuniteit voor externe interferentie

Geen invoegverliezen

Dual Power Hall huidige sensor

Elektrische gegevens (Ta = 25ºC ± 5ºC)

Nominale invoer	I_PN	20/50/100	A
Meetbereik	I_P	± 30/± 75/± 150	A
Uitgangspanning	V_o	± 4,0*(i_P/I_PN)	V
Ladingweerstand	R_L	> 10	KΩ
Voedingsspanning	V_C	（± 12 ～ ± 15） ± 5%	V
Nauwkeurigheid	X_G	@IPN, t = 25 ° C <± 1.0	%
Offsetspanning	V_OE	@Ip = 0, t = 25 ° C <± 25	mV
Temperatuurvariatie van V_OE	V_OT	@IP = 0, -40 ~ +85 ° C <± 1.0/ <± 0,5/<± 0,5	MV/℃
Temperatuurvariatie van V_O	V_OS	@Ip = ipn, -40 ~ +85 ° C <± 2,5	%
Hysterese offsetspanning	V_OH	@Ip = 0, na 1*ipn <± 25	mV
Lineariteitsfout	εr	<1.0	%FS
DI/DT		> 100	A/μs
Reactietijd	TRA	@90% van IPN <5.0	μs
Stroomverbruik	IC	@+15V <23	mA
Stroomverbruik	IC	@-15V <4.5	mA
Bandbreedte	BW	@-3DB, IPN DC-20	KHz
Isolatiespanning	V_d	@50/60Hz, 1min, AC, 1,5 mA 4.0	KV

Ringtype Elektrische gegevens ：（TA = 25 ° C, VC =+12.0VDC, RL = 2KΩ）

Parameter		MLRH-50A/2V	MLRH-100A/2V	MLRH-200a/2V	MLRH-300A/2V	MLRH-400A/2V	Eenheid
Nominale invoer	I_PN	50	100	200	300	400	A
Meetbereik	I_P	0 ～ ± 50	0 ～ ± 100	0 ～ ± 200	0 ～ ± 300	0 ～ ± 400	A
Uitgangspanning	Vo			2.500 ± 2,0*(i_P/I_PN)			V
Uitgangspanning	Vo	@Ip = 0, t = 25 ° C		2.500			V
Ladingweerstand	R_L			> 2			KΩ
Voedingsspanning	V_C			+12,0 ± 5%			V
Nauwkeurigheid	X_G	@I_PN, T = 25 ° C		<± 1,0			%
Offsetspanning	V_OE	@I_P= 0, t = 25 ° C		<± 25			mV
Temperatuurvariatie van V_OE	V_OT	@I_P= 0, -40 ~ +85 ° C		<± 1,0			MV/℃
Hysterese offsetspanning	V_OH	@Ip = 0, na 1*ipn		<± 20			mV
Lineariteitsfout	εr			<1.0			%FS
DI/DT				> 100			A/µs
Reactietijd	TRA	@90% van IPN		<3.0			µs
Stroomverbruik	I_C			15			mA
Bandbreedte	BW	@-3DB, IPN		DC-20			KHz
Isolatiespanning	Vd	@50/60Hz, 1min, AC		2.5			KV

Algemene gegevens:

参数 parameter	符号 Symbool	数值 waarde	单位 Eenheid
Bedrijfstemperatuur	T_A	-40 ~ +85	° C
Opslagtemperatuur	Ts	-55 ~ +125	° C
Gewicht	m	70	g
Plastic materiaal	PBT G30/G15, UL94- V0;
Normen	IEC60950-1: 2001
	EN50178: 1998
	SJ20790-2000

Afmetingen (mm):

Opmerkingen:

1, wanneer de stroom wordt gemeten door de primaire pin van een sensor, wordt de spanning aan het uiteinde van het uitgang gebracht. (Opmerking: de valse bedrading kan leiden tot de schade die de sensor is).

2, aangepast ontwerp in de verschillende nominale ingangsstroom en de uitgangsspanning zijn beschikbaar.

3, de dynamische prestaties zijn de beste wanneer het primaire gat als volledig gevuld is;

4, de primaire geleider moet <100 ° C zijn;

Rechthoekige type elektrische gegevens ：（TA = 25 ° C, VC =+12.0VDC, RL = 2KΩ）

Parameter		Mlrh-200A/2V	Mlrh4-600A/2V	Mlrh4-800A/2V	Mlrh4-1000A/2V	Mlrh4-1200A/2V	Mlrh4-2000A/2V	Eenheid
Nominale invoer	IPN	200	600	800	1000	1200	20000000000000000000	A
Meetbereik	IP	0 ～ ± 200	0 ～ ± 600	0 ～ ± 800	0 ～ ± 1000	0 ～ ± 1200	0 ～ ± 2000	A
Uitgangspanning	Vo			2.500 ± 2.0*(IP/IPN)				V
Uitgangspanning	Vo	@Ip = 0, t = 25 ° C		2.500				V
Ladingweerstand	RL			> 2				KΩ
Voedingsspanning	VC			+12,0 ± 5%				V
Nauwkeurigheid	XG	@Ipn, t = 25 ° C		<± 1,0				%
Offsetspanning	Voen	@Ip = 0, t = 25 ° C		<± 25				mV
Temperatuurvariatie van VOE	Stemmen	@Ip = 0, -40 ~ +85 ° C		<± 1,0				MV/℃
Hysterese offsetspanning	Voh	@Ip = 0, na 1*ipn		<± 20				mV
Lineariteitsfout	εr			<1.0				%FS
DI/DT				> 100				A/µs
Reactietijd	TRA	@90% van IPN		<7.0				µs
Stroomverbruik	IC			15				mA
Bandbreedte	BW	@-3DB, IPN		DC-20				KHz
Isolatiespanning	Vd	@50/60Hz, 1min, AC		6.0				KV

Algemene gegevens:

参数 parameter	符号 Symbool	数值 waarde	单位 Eenheid
Bedrijfstemperatuur	TA	-40 ~ +85	° C
Opslagtemperatuur	Ts	-55 ~ +125	° C
Gewicht	m	200	g
Plastic materiaal	PBT G30/G15, UL94- V0;
Normen	IEC60950-1: 2001
	EN50178: 1998
	SJ20790-2000